- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361234 > Q67100-Q2100 (SIEMENS AG) 256k x 16-Bit EDO-DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2100 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256k x 16-Bit EDO-DRAM |
| 中文描述： | 256k x 16位江戶的DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 48/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2100 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁當(dāng)前第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
47
19.2 CAS Latency = 3
DAx4
Addr.
DQM
DQ
AP
BS
Command
Bank A
Bank A
Activate
Command
Hi-Z
Write
DAx0
DAx1
DAx3
DAx2
RAx
RCD
t
RAx
CAx
DBx4
DBx0
Write
Command
Bank B
Bank B
Activate
Command
DAx6
DAx5
DAx7
Precharge
Command
Bank A
DBx2
DBx1
DBx3
CBx
RBx
RBx
WR
t
RP
t
Command
Bank A
Bank A
Activate
Command
Write
DBx5
DBx6
DAy0
DBx7
Precharge
Command
Bank B
SPT03928
DAy1
DAy2
DAy3
WR
RAy
t
CAy
RAy
CAS
RAS
CKE
CLK
WE
CS
T2
High
CK3
t
T0
T1
T4
T3
T5
T6
T15
T7
T8
T9
T10
T11 T12
T13
T14
Burst Length = 8, CAS Latency = 3
T19
T17
T16
T18
T21
T20
T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2116 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2118 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2120 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2122 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2124 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2116 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2118 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2120 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2122 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2124 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。