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參數(shù)資料
型號： Q67100-Q2120
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 1M x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述： 100萬× 4位動態(tài)隨機存儲器
文件頁數(shù)： 32/53頁
文件大?。?/td> 418K
代理商： Q67100-Q2120
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
31
10. Mode Register Set
Set Command
Mode Register
All Banks
Precharge
Command
Any
Command
Address Key
T0
T1
T2
T8
RSC
t
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
SPT03912
T19
T16
T15
T14
T17
T18
CAS Latency = 2
T20
T21 T22
BS0, BS1
A0-A9
A10, A11
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q2122 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2124 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2126 1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2148 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
Q67100-Q2246 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q67100-Q2122 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2124 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2126 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q2148 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
Q67100-Q2149 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh
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