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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2122 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/53頁(yè) |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2122 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
6
12.99
Block Diagram: 4 Bank
×
1M
×
16 SDRAM
Memory
Array
Bank 1
4096 x 256
x 16 Bit
Memory
Array
Bank 2
4096 x 256
x 16 Bit
Memory
Array
Bank 3
4096 x 256
x 16 Bit
SPB04120
Column Address
Counter
Row
Decoder
Memory
Array
Bank 0
4096 x 256
x 16 Bit
C
S
Row
Decoder
S
Row
Decoder
Row
Decoder
C
S
Row Address
Buffer
Column Address
Buffer
Refresh Counter
S
A0 - A11,
BA0, BA1
A0 - A7, AP,
BA0, BA1
Column Addresses
Row Addresses
Input Buffer
Output Buffer
DQ0 - DQ15
Control Logic &
Timing Generator
C
C
C
R
C
W
D
D
C
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2124 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2126 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2148 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2246 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2124 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2126 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
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