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參數資料
型號： Q67100-Q3018
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module
中文描述： 8米× 36位江戶記憶體模組
文件頁數： 23/53頁
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q3018
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
22
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
RC
"H" or "L"
t
T0
(CAS latency = 3)
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Address
Command
CLK
T
NOP
NOP
RCD
t
T1
Col. Addr.
Bank B
Write B
Precharge
T
SPT03784
Bank B
Row Addr.
Activate
Bank B
Row Addr.
Bank A
Activate
Bank A
T
NOP
RRD
t
T
T
SPT03712
CLK
Read A
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DOUT A3
CK2
latency = 2
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
DOUT A2
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A0 DOUT A1
DOUT A3
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
相關PDF資料
PDF描述
Q67100-Q3019 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q433 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q1100 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
Q67100-Q1101 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
Q67100-Q1102 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh
相關代理商/技術參數
參數描述
Q67100-Q3019 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module
Q67100-Q433 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q518 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q519 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q526 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM
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