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參數資料
| 型號： | Q67100-Q758 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動態隨機存儲器的低功耗100萬× 4位動態隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 2/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q758 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
2
12.99
Pin Definitions and Functions
Ordering Information
Type
Ordering Code
Package
Description
HYB 39S64400BT-7.5
Q67100-Q2781
P-TSOP-54-2 (400mil) 133MHz 4B
×
4M x4 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 125MHz 4B
×
4M x4 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 133MHz 4B
×
2M x8 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 125MHz 4B
×
2M x8 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 133MHz 4B
×
1M x16 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 125MHz 4B
×
1M x16 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) Low Power (L-versions)
HYB 39S64400BT-8
Q67100-Q1838
HYB 39S64800BT-7.5
Q67100-Q2776
HYB 39S64800BT-8
Q67100-Q1841
HYB 39S64160BT-7.5
Q67100-Q2800
HYB 39S64160BT-8
Q67100-Q1844
HYB 39S64xxx0BTL-
7.5/-8
on request
CLK
Clock Input
DQ
Data Input/Output
CKE
Clock Enable
DQM, LDQM,
UDQM
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
N.C.
Data Mask
CS
Chip Select
Power (+ 3.3 V)
RAS
Row Address Strobe
Ground
CAS
Column Address Strobe
Power for DQ’s (+ 3.3 V)
WE
Write Enable
Ground for DQ’s
A0 - A11
Address Inputs
Not connected
BA0, BA1
Bank Select
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q759 | 4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1323 | 16 MBit Synchronous DRAM |
| Q67100-Q1327 | DB25PH |
| Q67100-Q1105 | 2M x 8 - Bit Dynamic RAM 2k Refresh |
| Q67100-Q1106 | DBM13W3S |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q759 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q762 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| Q67100-Q764 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q849 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:512kx8-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q850 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:512kx8-Bit Dynamic RAM |
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