欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào)： Q67100-Q955
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 2M x 36-Bit Dynamic RAM Module
中文描述： 2米x 36位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器模塊
文件頁(yè)數(shù)： 15/53頁(yè)
文件大小： 418K
代理商： Q67100-Q955
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
15
12.99
Electrical Characteristics
Absolute Maximum Ratings
Operating Temperature Range.......................................................................................0 to + 70
°
C
Storage Temperature Range..................................................................................
– 55 to + 150
°
C
Input/Output Voltage......................................................................................... – 0.3 to
V
DD
+ 0.3 V
Power Supply Voltage
V
DD
/
V
DDQ
.............................................................................. – 0.3 to + 4.6 V
Power Dissipation....................................................................................................................... 1 W
Data Out Current (short circuit)............................................................................................... 50 mA
Note:
Stresses above those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent
damage of the device. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended
periods may affect device reliability.
Notes
1. All voltages are referenced to
V
SS
2.
V
IH
may overshoot to
V
DD
+ 2.0 V for pulse width of < 4 ns with 3.3 V.
V
IL
may undershoot to
– 2.0 V for pulse width < 4.0 ns with 3.3 V. Pulse width measured at 50% points with amplitude
measured peak to DC reference.
Recommended Operation and DC Characteristics
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
,
V
DDQ
= 3.3 V
±
0.3 V
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Notes
min.
max.
V
DD
+ 0.3
0.8
Input High Voltage
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I(L)
2.0
V
1, 2
Input Low Voltage
Output High Voltage (
I
OUT
= – 4.0 mA)
Output Low Voltage (
I
OUT
= 4.0 mA)
Input Leakage Current, any input
(0 V <
V
IN
<
V
DDQ
, all other inputs = 0 V)
Output Leakage Current
(DQ is disabled, 0 V <
V
OUT
<
V
DD
)
– 0.3
V
1, 2
2.4
–
V
–
–
0.4
V
μ
A
–
– 5
5
–
I
O(L)
– 5
5
μ
A
–
Capacitance
T
A
= 0 to 70
°
C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
max.
Input Capacitance (CLK)
C
I1
C
I2
2.5
3.5
pF
Input Capacitance
(A0 - A11, BA0, BA1, RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM)
2.5
3.8
pF
Input/Output Capacitance (DQ)
C
IO
4.0
6.0
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Q67100-Q956 2M x 36-Bit Dynamic RAM Module
Q67100-Q850 512kx8-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q851 512kx8-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q849 512kx8-Bit Dynamic RAM
Q67100-Q750 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
Q67100-Q956 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 36-Bit Dynamic RAM Module
Q67100-Q957 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2M x 36-Bit Dynamic RAM Module
Q67100-Q958 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
Q67100-Q959 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
Q67100-Q960 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 天气| 黎川县| 林芝县| 申扎县| 澄江县| 古丈县| 昆明市| 梅河口市| 古浪县| 东至县| 万源市| 丘北县| 东源县| 永宁县| 博罗县| 平陆县| 洪泽县| 洛扎县| 乳源| 济宁市| 西林县| 武汉市| 彭州市| 阳谷县| 克拉玛依市| 宁蒗| 潞城市| 龙游县| 凌海市| 贡山| 桂东县| 温州市| 朔州市| 江油市| 桑植县| 阿瓦提县| 六枝特区| 文水县| 靖江市| 广丰县| 沁水县|