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參數資料
| 型號： | Q7042-S4292 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS2 Power-Transistor |
| 中文描述： | OptiMOS2功率晶體管 |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | Q7042-S4292 |
BSC119N03S G
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
1030
1370
pF
Output capacitance
C
oss
-
370
490
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
50
75
Turn-on delay time
t
d(on)
-
3.8
5.8
ns
Rise time
t
r
-
3.4
5.1
Turn-off delay time
t
d(off)
-
15
23
Fall time
t
f
-
2.6
3.9
Gate Charge Characteristics
3)
Gate to source charge
Q
gs
-
3.3
4.4
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
1.6
2.2
Gate to drain charge
Q
gd
-
2.1
3.2
Switching charge
Q
sw
-
3.8
5.4
Gate charge total
Q
g
-
8
11
Gate plateau voltage
V
plateau
-
3.2
-
V
Gate charge total, sync. FET
Q
g(sync)
V
DS
=0.1 V,
V
GS
=0 to 5 V
-
7
9
nC
Output charge
Q
oss
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
-
8
11
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
30
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
120
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
-
0.93
1.2
V
Reverse recovery charge
Q
rr
V
R
=15 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=400 A/μs
-
-
10
nC
3)
See figure 16 for gate charge parameter definition
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
=1 MHz
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=15 A,
R
G
=2.7
V
DD
=15 V,
I
D
=15 A,
V
GS
=0 to 5 V
Rev. 1.01
page 3
2004-12-15
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q7042S4292 | OptiMOS2 Power-Transistor |
| Q8035P5 | Triacs (0.8 A to 35 A) |
| Q8004D4 | Triacs (0.8 A to 35 A) |
| Q8004L4 | Triacs (0.8 A to 35 A) |
| Q8004V4 | Triacs (0.8 A to 35 A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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