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參數資料
| 型號： | Q8004V4 |
| 廠商： | Littelfuse, Inc. |
| 英文描述： | Triacs (0.8 A to 35 A) |
| 中文描述： | 雙向（0.8 A至35甲） |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | Q8004V4 |
Data Sheets
Triacs
2004 Littelfuse, Inc.
Thyristor Product Catalog
E2 - 9
http://www.littelfuse.com
+1 972-580-7777
Figure E2.13 Peak Surge Current versus Surge Current Duration
Figure E2.14 Normalized DC Holding Current versus Case Temperature
Figure E2.15 Turn-on Time versus Gate Trigger Current (Typical)
SUPPLY FREQUENCY: 60 Hz Sinusoidal
LOAD: Resistive
RMS ON-STATE CURRENT [l
]: Maximum
Rated Value at Specified Case Temperature
NOTES:
1) Gate control may be lost during and
immediately following surge current interval.
2) Overload may not be repeated until
junction temperature has returned to
steady-state rated value.
25 A TO-220
15 A
10 A
8 A
6 A
4 A
1 A
0.8 A
1
10
20
30
40
50
60
80
100
120
300
400
1000
1
10
100
1000
Surge Current Duration – Full Cycles
P
T
)
200
25 A Fastpak
35 A Fastpak
-65
-40
-15
+25
+65
+125
1.0
2.0
3.0
4.0
Case Temperature (T
C
) – C
R
I
H
I
H
(
C
=
INITIAL ON-STATE CURRENT
= 200 mA DC 0.8 A - 10 A Devices
= 400 mA DC 15 A - 25 A Devices
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
1
2
3
4
5
6
7
8
T
g
)
DC Gate Trigger Current (l
GT
) – mA
Devices with l
GT
= 10 mA
Devices with l
GT
= 25 mA
Devices with l
GT
= 50 mA
T
C
= 25 C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| Q8006DH3 | 功能描述:雙向可控硅 800V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q8006DH4 | 功能描述:雙向可控硅 800V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q8006DH4RP | 功能描述:雙向可控硅 Altnstr 800V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| Q8006DH4TP | 功能描述:雙向可控硅 Altnstr 800V 6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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