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參數資料
| 型號： | QED233 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE |
| 中文描述： | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 84K |
| 代理商： | QED233 |
FEATURES
D
= 940 nm
Chip material =GaAs with AlGaAs window
Package type: T-1 3/4 (5mm lens diameter)
Matched Photosensor: QSD122/123/124
Medium Emission Angle, 40°
High Output Power
Package material and color: Clear, untinted, plastic
Ideal for remote control applications
ANODE
CATHODE
SCHEMATIC
0.195 (4.95)
0.040 (1.02)
NOM
0.100 (2.54)
NOM
0.050 (1.25)
0.800 (20.3)
MIN
0.305 (7.75)
0.240 (6.10)
0.215 (5.45)
0.020 (0.51)
SQ. (2X)
REFERENCE
SURFACE
CATHODE
QED233
QED234
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300338
10/31/01
1 OF 4
www.fairchildsemi.com
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions
unless otherwise specified.
DESCRIPTION
The QED233 / QED234 is a 940 nm GaAs / AlGaAs LED encapsulated in a clear untinted, plastic T-1 3/4 package.
PLASTIC INFRARED
LIGHT EMITTING DIODE
PACKAGE DIMENSIONS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QED234 | PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE |
| QED233 | GAAS INFRARED EMITTING DIODE |
| QED234 | GAAS INFRARED EMITTING DIODE |
| QED2405Z | Analog IC |
| QED2412 | Analog IC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QED233A4A0 | 功能描述:紅外發射源 T-1 3-4 LED ALGAAS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| QED233A4R0 | 功能描述:紅外發射源 Infrared EmittIng alGaas RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| QED233A4R0_F132 | 功能描述:紅外發射源 QED233 FSSP LED Die RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| QED234 | 功能描述:紅外發射源 T-1 3/4 0.13MW IR RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| QED234A4R0 | 功能描述:紅外發射源 GaAs Infrared Emitting Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
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