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參數資料
| 型號： | QJS0614001 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)DSS |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|獨立| 600V的五（巴西）決策支持系統 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | QJS0614001 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QJS0612001 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)DSS |
| QK015N5 | Triacs (0.8 A to 35 A) |
| QK004D4 | Triacs (0.8 A to 35 A) |
| QK004L4 | Triacs (0.8 A to 35 A) |
| QK004V4 | Triacs (0.8 A to 35 A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q-K (IEC) | 制造商:Labfacility Limited 功能描述:PROBE INSERTION TYPE K |
| QK004D4 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Triacs (0.8 A to 35 A) |
| QK004D4RP | 功能描述:雙向可控硅 1000V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| QK004D4TP | 功能描述:雙向可控硅 1000V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
| QK004L4 | 功能描述:雙向可控硅 1000V 4A 25-25-25mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態 RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態電流:120 A 額定重復關閉狀態電壓 VDRM:600 V 關閉狀態漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB |
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