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參數資料
型號: QM10HB-2H
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: DRIVE USE FOR HIGH POWER TRANSISTOR INSULATED TYPE
中文描述: 驅動使用的高功率晶體管絕緣型
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 52K
代理商: QM10HB-2H
Feb.1999
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM10HB-2H
DRIVE USE FOR HIGH POWER TRANSISTOR
INSULATED TYPE
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
APPLICATION
Base driver for High voltage transistor modules
QM10HB-2H
I
C
V
CEX
h
FE
Insulated Type
UL Recognized
Collector current ..........................
10A
Collector-emitter voltage .........
1000V
DC current gain.................................
5
Yellow Card No. E80276 (N)
File No. E80271
28
φ
3.2
1.6
2.2
1.1
B
C
E
7.3
7.3
2.5
0.5
5.5
9
(
2
1
3
2
4
3
B
C
E
LABEL
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PDF描述
QM150DY-2HK HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM150HY-2H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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QM15DX-H MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM15DX24 TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 15A I(C)
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參數描述
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