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參數資料
型號: QM150E2Y-HK
英文描述: Power inductor, high current, 20% tol, SMT, RoHS
中文描述: 晶體管|晶體管電源模塊|達林頓| 150A一(c)
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 131K
代理商: QM150E2Y-HK
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PDF描述
QM150E3Y2HK TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 150A I(C)
QM150E3Y-HK TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 150A I(C)
QM150HY2H TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 150A I(C)
QM150DY-2H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM150CY-H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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參數描述
QM150E3Y2HK 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 150A I(C)
QM150E3Y-HD 制造商:MIT 功能描述:NEW
QM150E3Y-HK 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 150A I(C)
QM150HY2H 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 150A I(C)
QM150HY-2H 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
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