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參數資料
| 型號： | QM200DY2H |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管電源模塊|半橋|達林頓| 1KV交五（巴西）總裁| 200安培我（丙） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | QM200DY2H |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM200DY2HB | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200HA24 | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY-HB | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200HA-HK | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY-24 | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QM200DY-2H | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY2HB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
| QM200DY-2HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY-H | 制造商:n/a 功能描述:Darlington Module |
| QM200DY-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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