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參數(shù)資料
| 型號： | QM30TB-2H |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| 中文描述： | 中功率開關(guān)使用絕緣型 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | QM30TB-2H |
Feb.1999
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
APPLICATION
AC motor controllers, DC motor controllers, NC equipment
QM30TB-2H
I
C
V
CEX
h
FE
Insulated Type
UL Recognized
Collector current ..........................
30A
Collector-emitter voltage .........
1000V
DC current gain...............................
75
Yellow Card No. E80276 (N)
File No. E80271
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM30TB-2H
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
7.5 21 7.5 21 7.5 16.5
19
28.5
28.5
21.5
BuP EuPBvP EvPBwP EwP
P
N
U
V
W
BuN EuN BvN EvN BwN EwN
127
2
2–
φ
5.5
1
4
5
98
110
Tab#110, t=0.5 Tab#250, t=0.8
2
1
2
LABEL
P
N
BuP
EuP
U
BuN
EuN
BvP
EvP
BvN
EvN
V
W
BwP
EwP
BwN
EwN
Note: All Transistor Units are 3-Stage Darlingtons.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM30TB24 | Power inductor, 20% tol, SMT, RoHS |
| QM30TB24B | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB2H | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB2HB | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TF-HB | MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| QM30TB2HB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
| QM30TB-2HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM30TF-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM30TX-H | 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述: |
| QM30TX-HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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