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參數資料
| 型號： | QM50TB-24 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| 中文描述： | 中功率開關使用絕緣型 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | QM50TB-24 |
Feb.1999
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
APPLICATION
Inverters, Servo drives, DC motor controllers, NC equipment, Welders
QM50TB-24
I
C
V
CEX
h
FE
Insulated Type
UL Recognized
Collector current ..........................
50A
Collector-emitter voltage .........
1200V
DC current gain...............................
75
Yellow Card No. E80276 (N)
File No. E80271
MITSUBISHI TRANSISTOR MODULES
QM50TB-24
MEDIUM POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
BuP EuP
BvPEvP
BwPEwP
BuN EuN
BvN EvN BwN EwN
P
N
U
V
W
P
N
10
102±
0.5
6 14 6 14 6 17
4–
φ
5.5
7–M4
7
8
1
3
1
2
2
3
4
1
9
±
22
20
80±
0.25
20
22
2
11
3
+
–
2
7
LABEL
Tab#110, t=0.5
8
P
N
BuP
EuP
BuN
EuN
U
BvP
EvP
BvN
EvN
V
BwP
EwP
BwN
EwN
W
P
N
Note: All Transistor Units are 3-Stage Darlingtons.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM50TB-2HB | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| QM50TB-2H | 122 x 32 pixel format, Compact LCD size |
| QM50TB24 | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
| QM50TB24B | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
| QM50TB2HB | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QM50TB24B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
| QM50TB-24B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM50TB-2H | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM50TB2HB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CEO | 50A I(C) |
| QM50TB-2HB | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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