| 型號： | QS6J11TR |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
| 產品培訓模塊： | MOSFETs |
| 標準包裝： | 3,000 |
| FET 型： | 2 個 P 溝道（雙） |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 12V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 2A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫歐 @ 2A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 |
| 供應商設備封裝： | TSMT6 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |