- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361318 > QS6J1 (Rohm CO.,LTD.) Small switching (−20V, −1.5A) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | QS6J1 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Small switching (−20V, −1.5A) |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | QS6J1 |
QS6J1
Transistors
Small switching (
20V,
1.5A)
1/3
QS6J1
z
Features
1) Two Pch MOSFET transistors in a single TSMT6
package.
2) Pch Treueh MOSFET have a low on-state resistance
with a fast switching.
3) Nch Treueh MOSFET is reacted a low voltage drive
(2.5V).
z
Applications
Switch
z
Structure
Silicon P-channel MOSFET
z
Packaging specifications
Package
Code
Taping
TR
3000
Basic ordering unit (pieces)
QS6J1
Type
z
External dimensions
(Unit : mm)
Each lead has same dimensions
TSMT6
Abbreviated symbol :
J01
0
0
2
2.8
1.6
0
(
(
(
(
(
(
1pin mark
z
Equivalent circuit
(1) Tr1 Gate
(2) Tr2 Source
(3) Tr2 Gate
(4) Tr2 Drain
(5) Tr1 Source
(6) Tr1 Drain
1 ESD PROTECTION DIODE
2 BODY DIODE
2
2
1
1
(1)
(6)
(3)
(4)
(2)
(5)
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
1
2
1
Parameter
V
V
A
A
A
A
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
Tch
Tstg
Symbol
W / Total
C
Limits
20
12
+
1.5
+
+
Unit
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Total power dissipation
Channel temperature
Range of Storage temperature
1 Pw 10
μ
s, Duty cycle 1%
2 Mounted on a ceramic board
z
Thermal resistance
Parameter
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Source current
(Body diode)
150
55 to
+
150
0.75
6
1.25
C
6
°
C / W / Total
Rth (ch-a)
100
Channel to ambient
Symbol
Limits
Unit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6J3 | Small switching (−20V, −1.5A) |
| QS6M3 | Small switching |
| QS6M4 | Small switching |
| QS6U22 | Small switching (−20V, −1.5A) |
| QS6U24 | Small switching (−30V, −1A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QS6J11 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch+Pch MOSFET |
| QS6J11TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:- 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| QS6J1TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| QS6J3 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Small switching (−20V, −1.5A) |
| QS6J3TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。