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參數資料
型號: QS6M3TR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6
產品目錄繪圖: TSMT-6 Package Top
特色產品: ECOMOS? Series MOSFETs
標準包裝: 1
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V,20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1.5A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 230 毫歐 @ 1.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 80pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
供應商設備封裝: TSMT6
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: QS6M3DKR
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