| 型號： | QS6M4TR |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | TSMT-6 Package Top |
| 特色產(chǎn)品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 溝道 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V，20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫歐 @ 1.5A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 1.6nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TSMT6 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | QS6M4DKR |