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參數資料
型號: QS8K2TR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數: 9/12頁
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描述: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 3.5A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 54 毫歐 @ 3.5A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 285pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD
供應商設備封裝: TSMT8
包裝: 標準包裝
其它名稱: QS8K2TRDKR
QS8K2TRDKR-ND
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