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參數資料
| 型號： | QSD123 |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | QSD123 |
0.195 (4.95)
0.040 (1.02)
NOM
0.305 (7.75)
0.240 (6.10)
0.215 (5.45)
0.020 (0.51)
SQ. (2X)
REFERENCE
SURFACE
COLLECTOR
0.800 (20.3)
MIN
0.100 (2.54) NOM
0.500 (1.25)
EMITTER
PACKAGE DIMENSIONS
FEATURES
NPN Silicon Phototransistor
Package Type: T-1 3/4
Notched Emitter: QED12X/QED22X/QED23X
Narrow Reception Angle: 24°C
Daylight Filter
Package Material and Color: Black Epoxy
High Sensitivity
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions
unless otherwise specified.
PLASTIC SILICON INFRARED
PHOTOTRANSISTOR
EMITTER
COLLECTOR
SCHEMATIC
DESCRIPTION
The QSD122/123/124 is a phototransistor encapsulated in an infrared transparent, black T-1 3/4 package.
QSD122
QSD123
QSD124
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300361
7/20/01
1 OF 4
www.fairchildsemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSD124 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSD122 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSD128 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSD2030F | Plastic Silicon Photodiode |
| QSD2030 | PLASTIC SILICON PHOTODIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QSD123_Q | 功能描述:光電晶體管 4mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD123A4R0 | 功能描述:光電晶體管 Phototrans IR Chip NPN Transistor 880nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD124 | 功能描述:光電晶體管 6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD124_Q | 功能描述:光電晶體管 6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD124A4R0 | 功能描述:光電晶體管 QSD124 T-R RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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