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參數資料
| 型號： | QSE122 |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | QSE122 |
PACKAGE DIMENSIONS
SCHEMATIC
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE122
5/1/02
Page 1 of 4
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
DESCRIPTION
The QSE122 is a silicon phototransistor encapsulated in a wide angle, infrared transparent, black plastic sidelooker package.
FEATURES
NPN silicon phototransistor
Package type: Sidelooker
Medium wide reception angle, 50°
Package material and color: black epoxy
Matched emitter: QEE113
Daylight filter
High sensitivity
0.175 (4.44)
0.200 (5.08)
0.050 (1.27)
0.020 (0.51) SQ.
(2X)
0.500 (12.70)
MIN
0.065 (1.65)
0.095 (2.41)
0.100 (2.54)
0.100 (2.54)
NOM
0.030 (0.76)
0.087 (2.22)
EMITTER
COLLECTOR
Collector
Emitter
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions unless
otherwise speci
fi
ed.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSE123 | SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR |
| QSE133 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSE133 | SIDELOOKE PHOTODARLINGTON |
| QSE157 | OPTOLOGIC⑩ |
| QSE156 | OPTOLOGIC⑩ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QSE122_Q | 功能描述:光電晶體管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSE123 | 制造商:QT 制造商全稱:QT 功能描述:SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR |
| QSE133 | 功能描述:光電晶體管 Phototransistor Darlington Sidelook RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSE133_TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Photodarlington IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bulk |
| QSE156 | 功能描述:光IC傳感器 LOGIC DETECTOR RoHS:否 制造商:Honeywell 產品:Photo IC 通道數量:1 輸出類型:10 KOhms Pull-up, Inverter 工作電源電壓:4.5 V to 16 V 電源電流:12 mA to 15 mA 高電平輸出電流: 上升時間:60 ns 下降時間:15 ns 傳播延遲時間:5 us 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 標準包裝數量: 封裝: |
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