型號: | QSZ3 |
廠商: | Rohm CO.,LTD. |
英文描述: | General purpose transistor (isolated transistor and diode) |
中文描述: | 通用晶體管(孤立的晶體管和二極管) |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 87K |
代理商: | QSZ3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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QT-BNC | RF Coaxial Connectors |
QT0081411TUE | Controller Miscellaneous - Datasheet Reference |
QT0086202TME | Controller Miscellaneous - Datasheet Reference |
QT0086302TME | Controller Miscellaneous - Datasheet Reference |
QT110-D | IC-QPROX SENSOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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QSZ3TR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 12V 3A 5PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
QSZ4 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor (isolated transistor and diode) |
QSZ4_1 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor (isolated transistor and diode) |
QSZ4TR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
QSZH-125-NR1-27MM | 功能描述:HEAT SHRINK 4:1 .226"X27MM 制造商:te connectivity amp connectors 系列:QSZH-125 零件狀態:有效 類型:套管,半剛性 收縮率:4 至 1 長度:0.088'(27.00mm,1.06") 內徑(出廠):0.226"(5.75mm) 內徑 - 恢復后:0.049"(1.2mm) 恢復后的壁厚:0.045"(1.14mm) 材料:聚烯烴(PO),輻射處理,無鹵素 特性:???? ? ????,?? ????,防水 顏色:黑 工作溫度:-40°C ~ 125°C 收縮溫度:110°C 標準包裝:10,000 |