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參數資料
| 型號： | QVE11233 |
| 廠商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 2000K |
| 描述： | SENS OPTO SLOT 3.81MM TRANS THRU |
| 產品目錄繪圖： | QVE11233 Pin Out QVE11233 Circuit |
| 標準包裝： | 50 |
| 檢測距離： | 0.150"（3.81mm） |
| 檢測方法： | 可傳導的 |
| 輸出配置： | 光電晶體管 |
| 電流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）： | 30V |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | PCB 安裝 |
| 包裝： | 管件 |
| 類型： | 無放大 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 產品目錄頁面： | 2777 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | QVE11233QT QVE11233QT-ND |
?009 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
QVE11233 Rev. 1.0.1
2
Absolute Maximum Ratings
(T
A
= 25癈 unless otherwise specified)
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only.
Notes:
1. Derate power dissipation linearly, on each component, 1.67mW/癈 above 25癈.
2. RMA flux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron tip 1/16 (1.6mm) from housing.
Electrical/Optical Characteristics
(T
A
= 25癈)
Symbol
Parameter
Rating
Units
T
OPR
Operating Temperature
-40 to +85
癈
T
STG
Storage Temperature
-40 to +85
癈
T
SOL-I
Soldering Temperature (Iron)
(2)(3)(4)
240 for 5 sec
癈
T
SOL-F
Soldering Temperature (Flow)
(2)(4)
260 for 10 sec
癈
INPUT (EMITTER)
I
F
Continuous Forward Current
50
mA
V
R
Reverse Voltage
6
V
P
D
Power Dissipation
(1)
100
mW
OUTPUT (SENSOR)
V
CEO
Collector to Emitter Voltage
30
V
V
ECO
Emitter to Collector Voltage
4.5
V
I
C
Collector Current
20
mA
P
D
Power Dissipation
(1)
150
mW
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min. Typ. Max. Units
INPUT (EMITTER)
V
F
Forward Voltage
I
F
= 20mA
1.7
V
I
R
Reverse Leakage Current
V
R
= 2V
100
礎
OUTPUT (SENSOR)
BV
ECO
Emitter to Collector Breakdown
I
E
= 100礎, E
e
= 0
5.0
V
BV
CEO
Collector to Emitter Breakdown
I
C
= 1mA, E
e
= 0
30
V
I
CEO
Collector to Emitter Leakage
V
CE
= 10V, E
e
= 0
100
nA
COUPLED
I
C(ON)
On-State Collector Current
I
F
= 20mA, V
CE
= 5V
0.5
mA
V
CE (SAT)
Saturation Voltage
I
F
= 20mA, I
C
= 0.25mA
0.40
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RPI-0125 | SENSOR OPTO SLOT 1.2MM TRANS SMD |
| RPI-0128 | PHOTOINTERRUPTER ULTRAMIN SMD |
| RPI-0129 | SENSOR OPTO SLOT 1.2X0.7 MM SMD |
| RPI-0226 | SENSOR OPTO SLOT 2.0X0.3 MM SMD |
| RPI-1031 | SENSOR OPTO TRANS IMM REFL SMD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QVE11233_Q | 功能描述:光學開關（透射型，光電晶體管輸出） 1mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:Omron Electronics 輸出設備:Phototransistor 槽寬:3.4 mm 光圈寬度:0.5 mm 集電極—發射極最大電壓 VCEO:30 V 最大集電極電流:20 mA 正向電流: 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 封裝: |
| QVEXAMP | 制造商:Intel 功能描述: |
| QVL21653 | 功能描述:IC SWITCH IR OPTICAL SLOT 20MM RoHS:是 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| QVL25335 | 功能描述:IC SWITCH IR OPTICAL SLOT 20MM RoHS:是 類別:傳感器，轉換器 >> 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 晶體管輸出 系列:- 產品變化通告:Internal Chip Change 04/May/2007 標準包裝:100 系列:- 檢測距離:0.063"（1.6mm） 檢測方法:可傳導的 輸出配置:光電晶體管 電流 - DC 正向(If):50mA 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:20mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:35V 響應時間:35µs，35µs 安裝類型:通孔 封裝/外殼:PCB 安裝 包裝:管件 類型:無放大 工作溫度:-25°C ~ 85°C 其它名稱:425-1978-5 |
| QV-QL5064-456-RDK-BASIC | 制造商:QuickLogic Corporation 功能描述: |
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