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JS28F256M29

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JS28F256M29 技術(shù)參數(shù)

JS28F256J3F105B TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 105NS 56TSOP JS28F256J3F105A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 105NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) JS28F256J3D95B 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ JS28F256J3D95A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 95NS 56TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ JS28F160C3TD70A 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:托盤其它名稱:Q2841869 JS28F256P30B95B TR JS28F256P30BFA JS28F256P30BFE JS28F256P30BFF TR JS28F256P30T95A JS28F256P30TFA JS28F256P30TFE JS28F256P33B95A JS28F256P33BFA JS28F256P33BFE JS28F256P33T95A JS28F256P33TFA JS28F256P33TFE JS28F320C3BD70A JS28F320C3TD70 JS28F320J3D75A JS28F320J3D75B JS28F320J3D75B TR