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參數資料
型號: R1LP0408CSP-5SI
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword 】 8-bit)
中文描述: 寬溫版本四米的SRAM(512 - KWord的】8位)
文件頁數: 6/14頁
文件大小: 78K
代理商: R1LP0408CSP-5SI
R1LP0408C-I Series
Rev.1.00, Aug.01.2003, page 6 of 13
DC Characteristics
Parameter
Symbol Min Typ
*
1
Max Unit Test conditions
Input leakage current
|I
LI
|
|I
LO
|
1
μ
A
μ
A
Vin = V
SS
to V
CC
CS# = V
IH
or OE# = V
IH
or
WE# = V
IL
or V
I/O
= V
SS
to V
CC
mA CS# = V
,
Others = V
IH
/ V
IL
, I
I/O
= 0 mA
mA Min. cycle, duty = 100%,
CS# = V
, Others = V
IH
/V
IL
I
I/O
= 0 mA
mA Cycle time = 1
μ
s,
duty = 100%,
I
I/O
= 0 mA, CS#
0.2 V,
V
IH
V
CC
0.2 V, V
IL
0.2 V
mA CS# = V
IH
2
μ
A
Vin
0 V, CS#
V
CC
0.2 V
10*
Output leakage current
1
Operating current
I
CC
1.5
3
Average operating current
I
CC1
8
25
I
CC2
2
5
Standby current
I
SB
I
SB1
2.4
2.6
0.1
1.0*
0.5
Standby current
to +85
°
C
to +40
°
C
20
°
C to +25
°
C
20*
3
μ
A
I
SB1
2
10*
2
μ
A
μ
A
1.0*
3
3*
3
I
SB1
0.8*
2
10*
2
μ
A
μ
A
V
0.8*
3
3*
3
Output low voltage
V
OL
V
OH
V
OH2
0.4
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
=
1.0 mA
I
OH
=
0.1 mA
Output high voltage
V
Notes: 1. Typical values are at V
CC
= 5.0 V, Ta = +25
°
C and specified loading, and not guaranteed.
2. L version. (
7LI)
3. SL version. (
5SI)
V
Capacitance
(Ta = +25
°
C, f = 1.0 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
Input capacitance
Cin
8
pF
Vin = 0 V
1
Input/output capacitance
Note: 1. This parameter is sampled and not 100% tested.
C
I/O
10
pF
V
I/O
= 0 V
1
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PDF描述
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