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參數(shù)資料
型號: R6006ANX
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 10/14頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.2 歐姆 @ 3A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V
功率 - 最大: 40W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220FM
包裝: 散裝
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