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參數(shù)資料
| 型號： | RD38F1020C0ZTL0 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | 3 VOLT INTEL Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) Stacked-Chip ScalPackage Familye |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66 |
| 封裝： | 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66 |
| 文件頁數(shù)： | 1/70頁 |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | RD38F1020C0ZTL0 |
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3VoltIntel
Advanced+BootBlock
FlashMemory(C3)Stacked-ChipScale
PackageFamily
Datasheet
ProductFeatures
The3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemory(C3)Stacked-ChipScalePackage
(Stacked-CSP)devicedeliversafeature-richsolutionforlow-powerapplications.TheC3
Stacked-CSPmemorydeviceincorporatesflashmemoryandstaticRAMinonepackagewith
lowvoltagecapabilitytoachievethesmallestsystemmemorysolutionform-factortogetherwith
high-speed,low-poweroperations.TheC3Stacked-CSPmemorydeviceoffersaprotection
registerandflexibleblocklockingtoenablenextgenerationsecuritycapability.Combinedwith
theIntel
FlashDataIntegrator(Intel
FDI)software,theC3Stacked-CSPmemorydevice
providesacost-effective,flexible,codeplusdatastoragesolution.
■
FlashMemoryPlusSRAM
—ReducesMemoryBoardSpace
Required,SimplifyingPCBDesign
Complexity
■
Stacked-ChipScalePackage(Stacked-
CSP)Technology
—SmallestMemorySubsystemFootprint
—Area:8x10mmfor16Mbit(0.13μm)
Flash+2Mbitor4MbitSRAM
—Area:8x12mmfor32Mbit(0.13μm)
Flash+4Mbitor8MbitSRAM
—Height:1.20mmfor16Mbit(0.13μm)
Flash+2Mbitor4MbitSRAMand
32Mbit(0.13um)Flash+8MbitSRAM
—Height:1.40mmfor32Mbit(0.13μm)
Flash+4MbitSRAM
—ThisFamilyalsoincludes0.25μmand
0.18μmtechnologies
■
AdvancedSRAMTechnology
—70nsAccessTime
—LowPowerOperation
—LowVoltageDataRetentionMode
■
Intel
FlashDataIntegrator(FDI)
Software
—Real-TimeDataStorageandCode
ExecutionintheSameMemoryDevice
—FullFlashFileManagerCapability
■
Advanced+BootBlockFlashMemory
—70nsAccessTimeat2.7V
—Instant,IndividualBlockLocking
—128bitProtectionRegister
—12VProductionProgramming
—UltraFastProgramandEraseSuspend
—ExtendedTemperature–25°Cto+85°C
■
BlockingArchitecture
—BlockSizesforCode+DataStorage
—4-KwordParameterBlocks(fordata)
—64-KbyteMainBlocks(forcode)
—100,000EraseCyclesperBlock
■
LowPowerOperation
—AsyncReadCurrent:9mA(Flash)
—StandbyCurrent:7μA(Flash)
—AutomaticPowerSavingMode
■
FlashTechnologies
—0.25μmETOXVI,0.18μmETOX
VIIand0.13μmETOXVIIIFlash
Technologies
—28F160xC3,28F320xC3
252636-001
February,2003
Notice:
Thisdocumentcontainsinformationonnewproductsinproduction.Thespecifications
aresubjecttochangewithoutnotice.VerifywithyourlocalIntelsalesofficethatyouhavethelat-
estdatasheetbeforefinalizingadesign.
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PDF描述 |
|---|---|
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| RD38F1020W0YBQ0SB93 | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 65NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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