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參數資料
| 型號： | RD60HUF1 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | MITSUBISHI RF POWER MOS FET |
| 中文描述： | 三菱射頻功率MOS FET |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 320K |
| 代理商： | RD60HUF1 |
MITSUBISHI RF POWER MOS FET
RD60HUF1
Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W
RD60HUF1
MITSUBISHI ELECTRIC
REV.1 14 May. 2003
1/7
ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE
OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS
DESCRIPTION
RD60HUF1 is a MOS FET type transistor specifically
designed for UHF High power amplifiers applications.
FEATURES
High power and High Gain:
Pout>60W, Gp>7.7dB @Vdd=12.5V,f=520MHz
High Efficiency: 55%typ.on UHF Band
APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in UHF
Band mobile radio sets.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tc=25
°C
UNLESS OTHERWISE NOTED)
SYMBOL
PARAMETER
VDSS
Drain tosource voltage
VGSS
Gateto source voltage
Pch
Channel dissipation
Tj
Junction Temperature
Tstg
Storage temperature
Rth-c
Thermal resistance
Note 1: Above parameters are guaranteed independently.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Tc=25
°C
, UNLESS OTHERWISE NOTED)
SYMBOL
PARAMETER
I
DSS
Zerogate voltage drain current V
DS
=17V, V
GS
=0V
I
GSS
Gate to source leak current
V
GS
=10V, V
DS
=0V
V
TH
Gate threshold voltage
V
DS
=12V, I
DS
=1mA
Pout
Output power
f=520MHz ,V
DD
=12.5V
η
D
Drain efficiency
Pin=10W, Idq=2.5A
Load VSWR tolerance
V
DD
=15.2V,Po=60W(PinControl)
Idq=2.5A,Zg=50
Load VSWR=20:1(All Phase)
CONDITIONS
RATINGS
30
+/-20
150
175
-40 to +175
1.0
UNIT
V
V
W
°C
°C
°C/W
Tc=25
°C
Junction to case
CONDITIONS
LIMITS
TYP
-
-
1.45
65
55
No destroy
UNIT
uA
uA
V
W
%
-
MIN
-
-
1.1
60
50
MAX.
400
1
1.8
-
-
Note : Above parameters , ratings , limits and conditions are subject to change.
OUTLINE DRAWING
1
4-C2
3
R1.6+/-0.15
18.0+/-0.3
2
3
5.0+/-0.3
25.0+/-0.3
7.0+/-0.5
11.0+/-0.3
2
1
+0.05
-0.01
0.1
6.2+/-0.7
4.5+/-0.7
PIN
1.Drain
2.Source
3.Gate
UNIT:mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RD70HHF1 | Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz, 70W |
| RDC1741444B | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro/ Resolver-to-Digital Converters |
| RDC1741448B | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro/ Resolver-to-Digital Converters |
| RDC1741511B | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro/ Resolver-to-Digital Converters |
| RDC1741512B | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro/ Resolver-to-Digital Converters |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| RD60HUF1_06 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W |
| RD6127-10-9M0 | 功能描述:共模濾波器/扼流器 CHOKE 10A 9mH/path CURRENT-COMPENSATED RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE |
| RD6127-16-3M0 | 功能描述:共模濾波器/扼流器 CHOKE 16A 3mH/path CURRENT-COMPENSATED RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE |
| RD6127-6-15M0 | 功能描述:共模濾波器/扼流器 CHOKE 6A 15mH/path CURRENT-COMPENSATED RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE |
| RD6137-10-4M5 | 功能描述:共模濾波器/扼流器 CHOKE 10A 4.5mH/path CURRENT-COMPENSATED RoHS:否 制造商:TDK 電感: 阻抗:35 Ohms 容差: 最大直流電流:0.1 A 最大直流電阻:1.5 Ohms 自諧振頻率: Q 最小值: 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:0302 (0806 metric) 系列:TCE |
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