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參數(shù)資料
| 型號： | RFD3055RLESM |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 12A條（丁）|至252 |
| 文件頁數(shù)： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | RFD3055RLESM |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RFL1N08L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-39 |
| RFL1N20L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-39 |
| RFL2N05L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |
| RFM10N12L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
| RFM10N15L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RFD3055RLESM9A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RFD3055SM | 功能描述:MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RFD3055SM_Q | 功能描述:MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RFD3055SM9A | 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| RFD3055SM9A136 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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