型號: | RFD3055SM |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
中文描述: | 12 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
封裝: | DPAK-3 |
文件頁數: | 1/8頁 |
文件大小: | 82K |
代理商: | RFD3055SM |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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RFP3055 | 12A, 60V, 0.150 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
RFP3055LE | 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
RFD3055LE | 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
RFD3055LESM | 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
RFD3N08 | 3A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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RFD3055SM_Q | 功能描述:MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RFD3055SM9A | 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RFD3055SM9A136 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RFD3055SM9AS2479 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
R-FD31G0000100C | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:CABLE TINNED - FAKRA D 100MM 制造商:SPC Multicomp 功能描述:CABLE, TINNED - FAKRA D, 100MM |