| 型號(hào)： | RJK03E0DNS-00#J5 |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/7頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 30A 8-HWSON |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 30A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫歐 @ 15A，10V |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 15.2nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 3050pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-WDFN 裸露焊盤(pán) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-HWSON（3.3x3.3） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | RJK03E0DNS-00#J5DKR |