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參數資料
型號: RJK03E2DNS-00#J5
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數: 3/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 16A 8-HWSON
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 16A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9 毫歐 @ 8A,10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7.3nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1540pF @ 10V
功率 - 最大: 12.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: 8-HWSON(3.3x3.3)
包裝: 標準包裝
其它名稱: RJK03E2DNS-00#J5DKR
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