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參數資料
型號: RJK6025DPD-00#J2
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數: 6/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N CH 600V 1A MP3A
標準包裝: 1
系列: *
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: *
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 37.5pF @ 25V
功率 - 最大: 29.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: MP-3A
包裝: 標準包裝
其它名稱: RJK6025DPD-00#J2DKR
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