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參數資料
型號: RN1102
廠商: California Micro Devices Corporation
英文描述: Isolated Resistor Termination Network
中文描述: 隔離電阻終端網絡
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 126K
代理商: RN1102
2000 California Micro Devices Corp. All rights reserved.
10/25/2000
3
PRN100/110
CALIFORNIA MICRO DEVICES
215 Topaz Street, Milpitas, California 95035 Tel: (408) 263-3214 Fax: (408) 263-7846 www.calmicro.com
TYPICAL FREQUENCY RESPONSE CHARACTERISTICS
相關PDF資料
PDF描述
RN1102 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1111 BUSSED RESISTOR NETWORK
romr0002 MultiMediaCard R0002 2 Mbyte ROM(多媒體卡 R0002 2 Mbyte ROM)
romr0008 MultiMediaCard R0008 8 Mbyte ROM(多媒體卡 R0002 8 Mbyte ROM)
ROS-1000PV Surface Mount Voltage Controlled Oscillator
相關代理商/技術參數
參數描述
RN1102(TE85L,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 50V 100mA Tape & Reel 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor, digital, NPN, RN1102(F) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SSM T/R
RN1102CT 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications
RN1102F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
RN1102FS 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 10K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1102FS(TPL3) 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 3Pin 10K x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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