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參數(shù)資料
型號: RP1E090RPTR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
產(chǎn)品目錄繪圖: MOSFET P-Channel MPT6
特色產(chǎn)品: ECOMOS? Series MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16.9 毫歐 @ 9A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-SMD,扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: MPT6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: RP1E090RPDKR
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