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參數(shù)資料
型號(hào): RQ1A070ZPTR
廠(chǎng)商: Rohm Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 7A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 7400pF @ 6V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線(xiàn)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TSMT8
包裝: 帶卷 (TR)
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