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參數(shù)資料
型號(hào): RQ1E050RPTR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 5/12頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫歐 @ 5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TSMT8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TSMT8
包裝: 帶卷 (TR)
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