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參數(shù)資料
型號: RRQ030P03TR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 5/12頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫歐 @ 3A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-95-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TSMT6
包裝: 帶卷 (TR)
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