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參數(shù)資料
型號: RSR020N06TL
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 4/12頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT6
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 170 毫歐 @ 2A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TSMT6
包裝: 帶卷 (TR)
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