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參數資料
型號: RUM002N02T2L
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數: 3/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
標準包裝: 8,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.2 歐姆 @ 200mA,2.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 25pF @ 10V
功率 - 最大: 150mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-723
供應商設備封裝: VMT3
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: RUM002N02T2L-ND
RUM002N02T2LTR
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