| 型號： | RW1C020UNT2R |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫歐 @ 2A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 2nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-WEMT |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 6-WEMT |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |