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參數資料
型號: RZF020P01TL
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數: 4/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
標準包裝: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 105 毫歐 @ 2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 770pF @ 6V
功率 - 最大: 800mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-SMD,扁平引線
供應商設備封裝: TUMT3
包裝: 帶卷 (TR)
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