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參數資料
型號: RZM002P02T2L
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數: 4/5頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT6
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.2 歐姆 @ 200mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 115pF @ 10V
功率 - 最大: 150mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝: UMT6
包裝: 標準包裝
其它名稱: RZM002P02T2LDKR
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