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S34ML01G200TFV003

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

S34ML01G200TFV003
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
60500
SkyHigh Memory
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

S34ML01G200TFV003
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Cypress Semiconductor Cor
標(biāo)準(zhǔn)封裝
16+
-
假一罰十

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： S34ML01G204TFA010 S34ML01G204TFA013 S34ML01G204TFI010 S34ML01G204TFI013 S34ML02G100BHA000 S34ML02G100BHA003 S34ML02G100BHB000 S34ML02G100BHB003 S34ML02G100BHI000

S34ML01G200TFV003 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

S34ML01G200TFV003 技術(shù)參數(shù)

S34ML01G200TFI003 功能描述:閃存 1Gb, 3V, 25ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34ML01G200TFI000 功能描述:閃存 1Gb, 3V, 25ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34ML01G200TFA000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:1Gb （128M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 S34ML01G200BHI900 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:1Gb （128M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:63-BGA（11x9）標(biāo)準(zhǔn)包裝:210 S34ML01G200BHI500 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:1Gb （128M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應(yīng)商器件封裝:63-BGA（11x9）標(biāo)準(zhǔn)包裝:210 S34ML02G100BHI003 S34ML02G100BHV000 S34ML02G100BHV003 S34ML02G100TFA000 S34ML02G100TFA003 S34ML02G100TFB000 S34ML02G100TFB003 S34ML02G100TFI000 S34ML02G100TFI003 S34ML02G100TFI900 S34ML02G100TFV000 S34ML02G100TFV003 S34ML02G104BHA010 S34ML02G104BHA013 S34ML02G104BHB010 S34ML02G104BHB013 S34ML02G104BHI010 S34ML02G104TFA010