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S34MS01G204BHA013

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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
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S34MS01G204BHA013 技術(shù)參數(shù)
  • S34MS01G200TFV000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:1Gb (128M x 8) 寫周期時間 - 字,頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:96 S34MS01G200TFI900 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:1Gb (128M x 8) 寫周期時間 - 字,頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:96 S34MS01G200TFI000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:1Gb (128M x 8) 寫周期時間 - 字,頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:96 S34MS01G200GHI000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 67BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:1Gb (128M x 8) 寫周期時間 - 字,頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:67-VFBGA 供應商器件封裝:67-BGA(8x6.5) 標準包裝:260 S34MS01G200BHI003 功能描述:IC FLASH 1GBIT 45NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:MS-2 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NAND 存儲容量:1Gb (128M x 8) 寫周期時間 - 字,頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:63-VFBGA 供應商器件封裝:63-BGA(11x9) 標準包裝:2,300 S34MS02G100BHV003 S34MS02G100TFI000 S34MS02G104BHB010 S34MS02G104BHB013 S34MS02G104BHI010 S34MS02G104BHV010 S34MS02G104BHV013 S34MS02G200BHI000 S34MS02G200BHI003 S34MS02G200BHV000 S34MS02G200BHV003 S34MS02G200GHI000 S34MS02G200GHV000 S34MS02G200GHV003 S34MS02G200TFI000 S34MS02G200TFI003 S34MS02G200TFV000 S34MS02G200TFV003
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