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S85SHDB

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S85SHDB 技術參數

S85QR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1.2KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 180°C 標準包裝:5 S85Q 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 180°C 標準包裝:5 S85M 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 180°C 標準包裝:5 S85JR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 600V 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 180°C 標準包裝:5 S85J 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:85A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 180°C 標準包裝:5 S8655PLSMF S8655PRNF S8655PRRTN S8655PRSMF S8656XRRN S8658PL120RSM S8658PL12RTNF S8658PL180RTN S8658PL240RTN S8658PL360SMM S8658PL96RTN S8658PLT-42RTNM S8658PLT-61RTNM S8658PR120RSM S8658PR180RTN S8658PR240RTN S8658PR360SMM S8658PR96RTN