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SGNMA3T10001

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封裝
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說明
操作

SGNMA3T10001
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室
80575
Sprague Goodman
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

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SGNMA3T10001 技術(shù)參數(shù)

SGNE06C270MT6R8G60 功能描述:VARISTOR 27V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效變阻器電壓:21.6V 壓敏電壓（典型）:27V 壓敏電壓（最大）:32.4V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:15VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制）安裝類型:表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGNE06C080MT150N25 功能描述:VARISTOR 8V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效變阻器電壓:6.4V 壓敏電壓（典型）:8V 壓敏電壓（最大）:9.6V 電流 - 浪涌:- 電路數(shù):1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:4.3VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制）安裝類型:表面貼裝標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SGN08G72G1BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN08G64B3BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SODIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SODIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGN04G72G1BD2SA-CCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期存儲(chǔ)器類型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:4GB 速度:1333MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 SGNMA3T20003 SGNMA3T20004 SGNMA3T20005 SGNMA3T20006 SGNMA3T20009 SGNMNC1054 SGNMNC1054E SGNMNC1054EK SGNMNC1054K SGNMNC1056 SGNMNC1056E SGNMNC1056EK SGNMNC1056K SGNMNC1059 SGNMNC1059E SGNMNC1059EK SGNMNC1059K SGNMNC1103