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SGNMNC31006EK

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SGNMNC31006EK
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Sprague-Goodman
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

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SGNMNC31006EK 技術參數

SGNE06C270MT6R8G60 功能描述:VARISTOR 27V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效變阻器電壓:21.6V 壓敏電壓（典型）:27V 壓敏電壓（最大）:32.4V 電流 - 浪涌:- 電路數:1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:15VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制）安裝類型:表面貼裝標準包裝:1 SGNE06C080MT150N25 功能描述:VARISTOR 8V 0201 制造商:tdk corporation 系列:SGNE 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效變阻器電壓:6.4V 壓敏電壓（典型）:8V 壓敏電壓（最大）:9.6V 電流 - 浪涌:- 電路數:1 最大 AC 電壓:- 最大 DC 電壓:4.3VDC 能量:- 封裝/外殼:0201（0603 公制）安裝類型:表面貼裝標準包裝:1 SGN08G72G1BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態:過期存儲器類型:DDR3 SDRAM 存儲容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標準包裝:100 SGN08G64B3BB2SA-DCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 8GB 204SODIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態:過期存儲器類型:DDR3 SDRAM 存儲容量:8GB 速度:1600MT/s 封裝/外殼:204-SODIMM 標準包裝:100 SGN04G72G1BD2SA-CCWRT 功能描述:MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SOUDIMM 制造商:swissbit na inc. 系列:- 零件狀態:過期存儲器類型:DDR3 SDRAM 存儲容量:4GB 速度:1333MT/s 封裝/外殼:204-SO-UDIMM 標準包裝:100 SGNMNC3103ENL SGNMNC3103K SGNMNC3106 SGNMNC3106E SGNMNC3106EK SGNMNC3106K SGNMNC3153 SGNMNC3153E SGNMNC3153EK SGNMNC3153K SGNMNC3205 SGNMNC3205E SGNMNC3205EK SGNMNC3205K SGNMNC3253 SGNMNC3253E SGNMNC3253EK SGNMNC3253K