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SI5475DC-T1-GE3

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  • SI5475DC-T1-GE3
    SI5475DC-T1-GE3

    SI5475DC-T1-GE3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • SI5475DC-T1-GE3
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  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
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    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • 功能描述
  • MOSFET 12V 7.6A 2.5W 31mohm @ 4.5V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI5475DC-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
配單專家

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